芯控源AGMH6035D詳情:   1個(gè)N溝道，漏源電壓(Vdss): 60V，連續(xù)漏極電流(Id):125A，功率(Pd):119W

●產(chǎn)品概述

AGMH6035D結(jié)合先進(jìn)的溝槽式MOSFET技術(shù)，具有低電阻封裝，可提供極低的RDS（ON）。該器件是負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)應(yīng)用的理想選擇。

●產(chǎn)品特點(diǎn)

    ■先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù) ■低RDS(ON)可將導(dǎo)電損耗降到最低 ■低柵極充電快速開關(guān) ■低熱阻■100%雪崩測試 ■100%DVD測試

●應(yīng)用

   ■MB/VGAV核心 ■SMPS2nd同步整流器 ■POL應(yīng)用 ■BLDC驅(qū)動(dòng)器

mos管選型

選擇合適的MOS管需要考慮多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)和因素，以確保其性能滿足特定應(yīng)用的需求。以下是一些重要的參數(shù)和步驟，用于指導(dǎo)MOS管的選型：¹²

1. 額定電壓（Vds）：確保MOS管的額定電壓高于工作電壓，以提供足夠的安全余量。對(duì)于感性負(fù)載或高開關(guān)頻率的應(yīng)用，需要考慮更大的耐壓余量。

2. 額定電流（Id）：也稱為連續(xù)漏極電流，是指MOS管在正常工作條件下能夠承受的最大電流。應(yīng)確保其額定電流高于預(yù)期的工作電流，以避免過載損壞。

3. 導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：較低的導(dǎo)通電阻可以減少功率損耗和發(fā)熱，提高系統(tǒng)的效率。應(yīng)根據(jù)散熱條件和功率損耗要求來選擇合適的導(dǎo)通電阻。

4. 柵極到源極閾值電壓（Vgs(th)）：是指使MOS管從截止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需的最小柵源電壓。應(yīng)確保柵極電壓高于閾值電壓，以保證MOS管能夠可靠地導(dǎo)通。

5. 封裝類型：封裝類型影響MOS管的安裝、散熱和電氣性能。應(yīng)根據(jù)PCB的尺寸和內(nèi)部高度限制，選擇適合的封裝類型。

6. 脈沖漏極電流（ID脈沖）：在系統(tǒng)啟動(dòng)期間可能會(huì)有很高的浪涌電流，只要不超過規(guī)定值，MOS管就不會(huì)有問題。

7. 功耗：MOS管的Datasheet將提供額定功率耗散或者功率耗散能力。功耗是結(jié)溫、實(shí)際工作溫度和熱阻的函數(shù)。

8. 工作和儲(chǔ)存溫度：指定MOS管在運(yùn)行時(shí)安全運(yùn)行的溫度范圍。存儲(chǔ)溫度也指定了相同的范圍，超出這個(gè)限制運(yùn)行會(huì)損壞MOS管。

9. 熱特性：熱阻用于計(jì)算MOS管在工作溫度下相應(yīng)的額定功率耗散。

選擇功率MOS管的步驟包括：

· 找出應(yīng)用的所有參數(shù)，例如最大電壓、最大電流和工作溫度。

· 找出電路的總負(fù)載。

· 計(jì)算MOSFET所需的峰值電流和峰值負(fù)載。

· 找出系統(tǒng)的效率。

· 計(jì)算有損耗的負(fù)載。

· 增加安全系數(shù)（視操作溫度而定）。

· 檢查設(shè)備是否將作為雙向設(shè)備運(yùn)行。

通過綜合考慮這些參數(shù)和步驟，可以選出最適合特定應(yīng)用的MOS管。