TOSHIBA(東芝)-SSM3J327R

1.SSM3J327R應用 

2.SSM3J327R特性 

RDS（ON） = 168 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8 V）

RDS（ON） = 123 mΩ（最大值） （@VGS = -2.5 V） 

RDS（ON） = 93 mΩ（最大值） （@VGS = -4.5 V）

3.SSM3J327R絕對最大額定值 （注） （除非另有說明，否則 Ta = 25 ）

注：在重負載下連續使用（例如施加高溫/電流/電壓和溫度的顯著變化等）可能會導致本產品的可靠性顯著下降，即使使用條件（即工作溫度/電流/電壓等）在絕對最大額定值范圍內。請在查看東芝半導體可靠性手冊（“處理注意事項”/“降額概念和方法”）和各個可靠性數據（即可靠性測試報告和估計故障率等）后設計適當的可靠性。注 1：確保通道溫度不超過 150 注 2：脈沖寬度 （PW） ≤10 ms，占空比 ≤ 1% 注 3：設備安裝在 FR4 板上。（25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm，銅墊：645 mm2）注意：該器件中的 MOSFET 對靜電放電敏感。處理此設備時，應保護工作臺、操作員、烙鐵和其他物體免受防靜電放電。注：通道到環境的熱阻 Rth（ch-a） 和漏極功率耗散 PD 根據電路板材料、電路板面積、電路板厚度和焊盤面積而變化。使用此設備時，請務必充分考慮散熱。

4.SSM3J327R靜態特性 （除非另有規定，Ta = 25 ）

注 1：如果在門和源之間施加正向偏置，該器件將進入 V（BR）DSX 模式。請注意，在此模式下，漏極擊穿電壓會降低。注 2：設 Vth 為施加在柵極和源極之間的電壓，該電壓導致漏極電流 （ID） 低于 （本器件為 -1 mA）。然后，對于正常的開關操作，VGS（ON） 必須高于 Vth，VGS（OFF） 必須低于 Vth。此關系可以表示為：VGS（OFF） < Vth < VGS（ON）。使用設備時請考慮這一點。注 3：脈沖測量。

5.SSM3J327R動態特性 （除非另有說明，否則 Ta = 25 ）