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TOSHIBA(東芝)

TO-220SIS

Toshiba 650V DTMOS-VI超級結MOSFET設計用于在開關電源下工作。該系列N溝道MOSFET具有高速開關特性和較低電容。 650V DTMOS-VI超級結MOSFET硅MOS…

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TOSHIBA(東芝)

TO-220

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

Toshiba TK16x60W Si N溝道MOSFET (DTMOSIV) 采用DTMOSIV代芯片設計，有各種型號可供選擇。Si N溝道MOSFET具有低漏源導通電阻和快速反向恢復能力…

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TOSHIBA(東芝)

DFN-4-EP(8x8)

東芝 DTMOSIV MOSFET 采用最先進的單外延工藝，與上一代 DTMOSIII 相比，RDS（on） 降低了 30%，這是 MOSFET 的性能指標。RDS（on） 的降低使得將…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J358R1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 （1) 1.8 V 驅動 （2）低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 49.3 mΩ（最大值） （@VGS = -1.8…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J356R1. 應用 ? 電源管理開關 2.特性 （1）4 V 柵極驅動電壓。 （2）低漏源導通電阻 ： RDS（ON） = 400 mΩ（最大值） （@V…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J355R1. 應用? 電源管理開關2.特性 （1）1.8 V 驅動 （2) 低漏源導通電阻 ： RDS（ON） = 36.0 mΩ（典型值） （VGS = -1.8 …

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TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J353F1. 應用? 電源管理開關2.特性 （1） 4.0 V 柵極驅動電壓。（2）低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 274 mΩ（最大值） （@VG…

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TOSHIBA(東芝)

TO-236-3(SOT-23-3)

TOSHIBA(東芝)-SSM3J352F1. 應用 ? 電源管理開關2.特性 （1)1.8 V 柵極驅動電壓（2）低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 443 mΩ （最大值） （@VGS …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J351R1. 應用? 電源管理開關 2.特性 （1） 4 V 驅動 （2） 低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 107 mΩ（典型值） （VGS = -10 V）…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J340R1. 應用? 電源管理開關 2.特性（1）4.0 V 驅動 （2） 低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 86 mΩ（最大值） （@VGS = -4.0 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J338R1.應用? 電源管理開關2.特點(1) 1.8 V柵極驅動電壓。(2) 低漏源導通電阻: RDS (on) = 26.3 m ? (typ.)(@ VGS = -1.8 V…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

XPN3R804NC,L1XHQ是Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻…

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J334R1.應用?電源管理開關應用 2.特性? 低導通電阻：RDS（ON） = 71 mΩ（最大值）（@VGS = -10 V） RDS（ON） = 105 mΩ（…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23F

TOSHIBA(東芝)-SSM3J332R1.應用?電源管理開關應用2.特性? 1.8 V 驅動 ? 低導通電阻：RDS（ON） = 144 mΩ（最大值）（@VGS = -1.8 V）RDS（ON…

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TOSHIBA(東芝)

TSON-8(3.1x3.1)

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

DSOPADVANCE-8

Toshiba 車規級U-MOSVIII-H型功率MOSFET是 100V N溝道功率MOSFET，是汽車應用的理想選擇。它們具有采用專有技術的低導通電阻，使用銅連接器。 …

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TOSHIBA(東芝)

SOT-23

TOSHIBA(東芝)-SSM3J331R1. 應用 ? 電源管理開關 2.特性 （1)1.5V 柵極驅動電壓。 （2）低漏源導通電阻 ：RDS（ON） = 150 mΩ （最大值） （@V…